电性热点定位分析InGaAs，OBIRCH，EMMI有什么区别？
发布时间：2020-05-04 16:04:15
电性热点定位分析
电性热点定位（InGaAs，OBIRCH，EMMI）
一、InGaAs:
1.捉 Defect 的时间,比CCD 短 5 ~ 10 倍.
2.可捉到CCD捉不到的 Defect (可捉到微小电流及先进制程的 defect).
3.愈先进的制程愈需要InGaAs才能捉到 Defect 点.
4.可捉到较轻微的 Metal bridge 及微小电流 (CCD 完全捉不到).
二、OBIRCH:
利用激光束在器件表面扫描，激光束的部分能量转化为热量。如果互联机中存在缺陷或者空洞，这些区域附近的热量传导不同于其他的完整区域，将引起局部温度变化，从而引起电阻值改变ΔR
三、 EMMI :
From package to Silicon: 样品不用Decap处理可直接进行分析− 厘清是否为封装异常,短路介于20 mΩ ~ 1 GΩ间，都有机会可利用此设备抓到异常点
InGaAs，OBIRCH，EMMI区别详见下表：
| EMMI(Si CCD) | InGaAs | OBIRCH | THEMOS
mini(InSb) | 注 |
| Front side | Yes | Yes | Yes | Yes | |
| Back side | Yes | Yes | Yes | Yes | EMMI因镜头材质.对backside的分辨率较弱 |
| Power限制 | 可外接 | 可外接 | 25V/100uA,10V/100mA | 可外接 | OBIRCH只能以内建电源进行
分析(1路) |
| probe架设 | 4 | 4 | 4 | 2 | 平台与镜头旋转角度限制 |
| 分析速度 | 慢 | 快 | 快 | 快 | |
| 捕捉特性 | 光子 | 光子 | 激光加热后的电阻变化 | 热(可不进行破坏) | THEMOS mini因只分析热传导梯度,可透过金属或黑胶进行侦测 |
| 波长范围 | 400nm～1150nm | 900nm～1700nm | NA | 3.7um～5.2um | |
| 适合分析案件 | LED(uA级&mA级).IC漏电(mA级),LU失效定位 | MOSFET漏电IC漏电(uA级) | IC短路.电阻式漏电 | IC漏电.短路
PCB短路,LU失效定位 | |
| 不易分析特性 | 金属遮蔽.电阻式缺陷.不发光缺陷 | 金属遮蔽.电阻式缺陷
.不发光缺陷 | 金属遮蔽且不易加热.多晶电阻或偏压电场的干扰 | 功耗较小.热度低 | |