序号 | 测试项目 | 缩写 | 样品数/批 | 批数 | 测试方法 | 附加条件 |
A2 | Highly Accelerated
Stress Test | HAST | 77 | 3 | JESD22 A-110 | 1、96H，Ta=130℃，RH=85%；
2、VDS=960V，G-S短接
3、试验前后电测 |
A2 alt | High Humidity
High Temp.
Reverse Bias | H3TRB | 77 | 3 | JESD22 A-101 | 1、试验周期：1000H；
2、Ta=85℃/85%RH；
3、VDS=80%器件最大直流反向偏压，G-S短接；
4、试验前后电测 |
A3 | Unbiased Highly
Accelerated Stress
Test | UHAST | 77 | 3 | JESD22 A-118 | 1、试验周期：96H；
2、Ta=130℃/85%RH；
3、UHAST前后进行TEST。 |
A3 alt | Autoclave | AC | 77 | 3 | JESD22 A-102 | 1、试验周期=96H；
2、Ta=121℃/100%RH，15psig；
3、AC前后进行TEST。 |
A4 | Temperature
Cycling | TC | 77 | 3 | JESD22 A-104 Appendix 6 | 1、试验周期：1000循环；
2、-55℃~150℃，转换时间11min，保持时间20min；
3、TC前后TEST |
A4a alt | TC Delamination
Test | TCDT | 77 | 3 | JESD22 A-104 Appendix 6 J-STD-035 | 1、对TC结束后的器件进行C-Sam试验；
2、从5个分层最严重的器件中，按appendix 6进行开封，并作键合线拉力试验；
3、若C-Sam显示无分层，则不需开封和键合线拉力试验 |
A5 | Intermittent
Operational Life | IOL | 77 | 3 | MIL-STD-750 Method 1037 | 1、试验时长：1000h，间歇开通/关断时间：3min/3min；
2、Ta=25℃；
3、器件通电以确保ΔTJ≥100°C(不要超过绝对最大额定值)；
4、IOL前后进行TEST |
B1 | High Temperature
Reverse Bias | HTRB | 77 | 3 | MIL-STD-750-1 M1038 Method A | 1、试验周期：1000H；
2、VDS=1200V，G-S短接；
3、Ta=175℃，需要根据漏电流大小调整；
4、HTRB前后进行TEST |
B2 | High Temperature
Gate Bias | HTGB | 77 | 3 | JESD22 A-108 | 1、试验周期：1000H；
2、Tj达到额定最大；
3、VGS=+25V，D-S短接
4、若将结温上升25℃，则试验周期降至500H；
5、HTGB前后TEST |
B2 | High Temperature
Gate Bias | HTGB | 77 | 3 | JESD22 A-108 | 1、试验周期：1000H；
2、Tj达到额定最大；
3、VGS=-10V，D-S短接
4、若将结温上升25℃，则试验周期降至500H；
5、HTGB前后TEST |
C1 | Destructive
Physical Analysis | DPA | 2 | 1 | AEC-Q101-004 Section 4 | 从通过H3TRB或HAST 、TC试验的样品中随机各抽取2只 |
C2 | Physical
Dimension | PD | 30 | 1 | JESD22 B-100 | 验证物理尺寸和公差 |
C3 | Wire Bond
Strength | WBS | 10 | 1 | MIL-STD-750 Method 2037 | 进行前后过程变化对比以评估过程变化的稳健性 |
C4 | Bond Shear | BS | 10 | 1 | AEC-Q101-003 | 有关验收标准和如何执行测试的详细信息，请参阅附带的程序。 |
C5 | Die Shear | DS | 5 | 1 | MIL-STD-750 Method 2017 | 进行前后过程变化对比以评估过程变化的稳健性 |
C6 | Terminal Strength | TS | 30 | 1 | MIL-STD-750 Method 2036 | 仅评估引脚器件 |
C8 | Resistance to
Solder Heat | RSH | 30 | 1 | JESD22 A-111 (SMD)
B-106 (PTH) | RSH试验前后都要都要进行TEST，SMD部件应在测试期间完全浸没，并按MSL等级进行预处理。 |
C9 | Thermal
Resistance | TR | 10 | 1 | JESD24-3,24-4,26-6视情况而定 | G-D短接方式测量热阻 |
C10 | Solderability | SD | 10 | 1 | J-STD-002 JESD22B102 | 放大50X,参考表2B中的测试方法A，对于通孔应用测试方法A，或对SMD应用测试方法B和D. |
C11 | Whisker Growth
Evaluation | WG | 3 | 3 | AEC-Q005 | 晶须生长，采用温冲的条件：-40~+85℃的温循，1小时3循环，1500循环，试验后采用SEM进行锡须观察 |
D1 | Dielectric Integrity | DI | 5 | 1 | AEC-Q101-004 Section 3 | 进行前后过程变化对比以评估过程变化的稳健性（只针对功率MOS和内部钳位IGBT） |
E0 | External Visual | EV | 每项试验前后均进行测试 | JESD22-B101 | 产品外观检查（结构、标识、工艺） |
E1 | Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric Test | TEST | 所有应力试验前后均进行测试 | 用户规范或供应商的标准规范 | 应力试验前后在室温下测量以下静态参数：BVDSS、IDSS、IGSS、RDS(ON)、VGS(th) |
E2 | Parametric Verification | PV | 25 | 3 | 用户规范 | 依据产品规格书测试器件参数，以确保符合规范 |
E3 | ESD Characterization | ESDH | 30 | 1 | AEC-Q101-001 | 应力试验前后都要都要进行TEST |
E4 | ESD Characterization | ESDC | 30 | 1 | AEC-Q101-005 | 应力试验前后都要都要进行TEST |
E5 | Unclamped Inductive Switching | UIS | 5 | 1 | AEC-Q101-004 Section 2 | 进行前后过程变化对比以评估过程变化的稳健性（只针对功率MOS和内部钳位IGBT） |