先进制程芯片分析能力介绍-微区分析技术TEM

发布时间:2022-08-22 09:58:19
先进制程芯片分析能力介绍-微区分析技术TEM

透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,简称TEM),是一种以电子束为光源的基于电子显微学的微观物理结构分析技术,分辨率最高可以达到0.1nm左右。TEM技术的出现,大大提高了人类肉眼观察显微结构的极限,是半导体领域必不可少的显微观察设备,也是半导体领域工艺研发、量产工艺监控、工艺异常分析等不可缺少的设备。
TEM在半导体领域具有非常广泛的用途,如晶圆制造工艺分析、芯片失效分析、芯片逆向分析、镀膜及刻蚀等半导体工艺分析等等,客户群体遍布晶圆厂、封装厂、芯片设计公司、半导体设备研发、材料研发、高校科研院所等。

设备能力介绍

TEM设备

TEM型号:Talos F200X
参数
1 电子枪:X-FEG  200Kv时亮度1.8*109 [A/cm2/Sr]
2 EDS类型/面积:Super-X(120mm2)
3 HRTEM信息分辨率:0.12 nm  HRSTEM分辨率:0.16 nm

TEM样品制备设备DB FIB

DB FIB型号:Helios 5 CX
参数
1 离子源:液态镓离子源
2 EDS类型/面积:Ultim Max65/65mm2
3 离子束分辨率:2.5 nm@30Kv
4 电子束分辨率:1.0  nm@1.0 Kv,0.6nm@15Kv

TEM服务项目介绍
服务项目
服务内容
面向客户
晶圆制造工艺分析1、7nm及以上制程芯片晶圆制造工艺分析
2、MOSFET制造工艺分析
3、存储芯片制造工艺分析
晶圆厂
芯片失效分析1、芯片失效点位置分析,包含漏电、短路、烧毁、异物等异常失效点位的平面制样分析、截面制样分析以及平面转截面分析。包含形貌观察、尺寸量测、成分分析。可精准到1.0 nm以内。
2、芯片制造工艺缺陷分析,包含形貌观察、尺寸量测、成分分析,可精准到1.0 nm以内。
芯片设计公司
芯片逆向分析芯片关键工艺结构剖析,包含尺寸量测、成分分析等。芯片设计公司
半导体器件失效分析MOSFET、VCSEL等半导体器件失效点位置分析,包含形貌观察、尺寸量测、成分分析,可精准到1.0 nm以内。半导体器件设计公司
芯片及半导体器件封装工艺分析封装工艺异常分析,如TSV孔、Via孔、RDL布线层异常分析。封装厂
半导体工艺分析刻蚀工艺、镀膜工艺等半导体工艺分析刻蚀设备商、镀膜设备商等半导体设备研发制造商
材料分析材料成分分析、晶型分析、晶格缺陷分析、原子级高分辨分析等高校、科研院所、材料研发企业
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