贵司有AEC-Q100的成功案例吗?AEC-Q100要做哪些测试项目?

发布时间:2020-06-14 18:00:11
广电计量是唯一一家已完成AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q102、AEC-Q200完整验证报告的第三方检测机构,业务领先,已有客户群体涵盖陆资、台资、美资企业。
承接国内第一批第三代半导体车规验证项目(AEC-Q101 SiC,基本半导体、泰科天润)、第一个集成电路的全项目验证项目(AEC-Q100,百度)
例举某定位芯片AEC-Q100实操案例及其参考测试项目如下:
序号
测试项目
缩写
Generic Data
样品数/批
批数
最小备用数量/批
样品总数
测试方法
附加条件
A组 加速环境应力试验
A1
Pre-Preconditioning    SAM
CSAM @ T0
    
25
3
3
84
-
NA
Preconditioning
PC
    
-
3
-
720
J-STD-020、
      JESD22-A113
仅用于表面贴装器件
在THB/HAST、AC/UHST、TC和PTC之前进行预处理。
推荐执行J-STD-020的JA113来确定实际预处理应力需要进行的预处理级别。最低可接受级别是JA113的级别3(MSL-3)。当进行预处理和(或)潮湿敏感度等级时,必须提供预处理等级和峰值回流焊温度。若器件通过了后续的认证测试,则根据JA113/J-STD-020芯片表面分层是可以接受的。任何进行的器件替换都需要在报告中说明。
预处理前、后在室温进行电测。
Post-Preconditioning SAM
CSAM
      (Post PC)
    
25
3
3
84
-
NA
A2
Biased    HAST
HAST
    
77
3
3
240
JESD22-A110
1、仅用于表贴器件,试验前预处理;
2、试验周期:264H;
3、Ta=110℃,85%RH,加偏置;
4、试验前后在室温和高温下电测
A3
Unbiased    HAST
UHST
    
77
3
3
240
JESD22-A118
1、仅用于表贴器件,试验前预处理;
2、试验周期:264H;
3、Ta=110℃,85%RH,无偏置;
4、试验前后在室温下电测
A4
Temperature    Cycling
TC
    
77
3
3
240
JESD22-A104、Appendix 3
在试验前先做预处理。
试验前、后在高温进行电测。
Grade 0: -55oC to +150oC for 2000 cycles
Grade 1: -55oC to +150oC for 1000 cycles
Grade 2: -55oC to +125oC for 1000 cycles
Grade 3: -55oC to +125oC for 500 cycles
A5
Power    Temperature Cycling
PTC
    
    
    
    
    
JESD22-A105
在试验前先做预处理。
试验前后在室温和高温下电测
Grade 0: Ta of -40oC to +150oC for 1000 cycles.
Grade 1: Ta of -40oC to +125oC for 1000 cycles.
Grades 2 and 3: Ta -40oC to +105oC for 1000 cycles.
A6
High    Temperature Storage Life
HTSL
    
45
1
5
50
JESD22-A103
试验前、后在室温和高温分别进行电测。
      Plastic Packaged Parts
Grade 0: +175oC Ta for 1000 hours or +150oC Ta for 2000 hours.
Grade 1: +150oC Ta for 1000 hours or +175oC Ta for 500 hours.
Grades 2 and 3: +125oC Ta for 1000 hours or +150oC Ta for 500 hours.
B组 加速寿命模拟试验
B1
High    Temperature Operating Life
HTOL
    
77
3
3
240
JESD22-A108
等级0:150℃(Ta) 1000小时
等级1:125℃(Ta) 1000小时
等级2:105℃(Ta) 1000小时
等级3:85℃(Ta) 1000小时
试验前、后在室温、低温和高温分别进行电测。
B2
Early    Life Failure Rate
ELFR
    
800
3
0
2400
AEC-Q100-008
等级0:48 hours at 150℃或24 hours at 175℃
等级1:48 hours at 125℃或24 hours at 150℃
等级2:48 hours at 105℃或24    hours at 125℃
等级3: 48 hours at 85℃或24 hours at 105℃
试验前、后在室温和高温分别进行电测。
B3
NVM    Endurance,
      Data Retention, and Operational Life
EDR
EDR
    
    
    
    
AEC Q100-005
试验前、后在室温和高温分别进行电测。
C组 封装完整性测试
C1
Wire    Bond Shear
WBS
    
5
1
5
10
AEC-Q100-001、AEC-Q003
每个键合线间有适当的间隔
最少5个器件中的30根键合线
C2
Wire    Bond Pull
WBP
    
5
1
5
10
MIL-STD883 method 2011、
      AEC-Q003
条件C或D。对于金线直径≥1mil,温度循环后的最小拉力要求3克。对于金线直径<1mil,参考MIL-STD-883    Method 2011中规定的最小拉力。键合线拉力应在锡球键合处而不是在键合线中间进行。
最少5个器件中的30根键合线
C3
Solderability
SD
    
15
1
0
15
JESD22-B102或    J-STD-002D
如果出货前器件能够正常进行筛选老化试验,可焊性样品必须首先耐受住老化。测试前预先进行8小时蒸汽老化(镀金引线1个小时)。用户如果需要可要求采用热烘烤的预处理方法来替代蒸汽老化。
15样
C4
Physical    Dimensions
PD
    
10
3
0
30
JESD22-B100、 JESD22-B108、
      AEC-Q003
对于重要尺寸和公差,可见JEDEC标准和器件规格书的说明。
30样
C5
Solder    Ball Shear
SBS
    
最少5个Balls/10Devices
3
3
33
AEC Q100-010
      AEC-Q003
对于重要尺寸和公差,可见JEDEC标准和器件规格书的说明。
30样
C6
Lead    Integrity
LI
    
最少10个Leads/5Devices
    
    
    
JESD22-B1105
引脚不能有断裂
仅仅针对Through Hole焊接样品(SMT样品不需要)
5样
E组  电学验证测试
E2
Electrostatic    Discharge Human Body Model
HBM
    
18
1
3
21
AEC-Q100-002
1、试验前、后在室温和高温分别进行电测。
2、应根据最大耐电压级别将器件进行分类,
3、器件级别<2000V HBM的情况需要使用者特别承认。
Electrostatic Discharge Machine Model
MM
    
    
    
    
    
AEC-Q100-003
1、试验前、后在室温和高温分别进行电测。
2、应根据最大耐电压级别将器件进行分类,
3、器件级别<200V MM的情况需要使用者特别承认。
E3
Electrostatic    Discharge Charged Device Model
CDM
    
12
1
3
15
AEC-Q100-011
1、试验前、后在室温和高温分别进行电测;
2、应根据最大耐电压级别将器件进行分类;
3、器件级别<750V边角引脚或(和)<500V其他引脚的CDM情况需要使用者特别承认。
E4
Latch-Up
LU
    
6
1
3
9
AEC-Q100-004
试验前、后在室温和高温分别进行电测。
测试温度参考:
Grade 0: +150°C
Grade 1: +125°C
Grade 2: +105°C
Grade 3: +85°C
E9
Electromagnetic    Compatibility
EMC
    
1
1
1
2
SAE J1752/3-辐射
测试和其可接受标准由使用者和供应商根据具体情况协商。
E12
Lead (Pb) Free
LF
    
3
3
3
18
AEC-Q005
耐焊接、可焊性、锡须(温循1500cycles、常温湿度储存4000h、高温湿度储存4000h)
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