AEC-Q100标准解读之JEDEC JESD22-A108 High Temperature Operating Life(HTOL),AEC Q100-008 Early Life Failure Rate(ELFR)
High Temperature Operating Life(HTOL)
参考标准：JEDEC JESD22-A108；
目的：评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力；
失效机制：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离子玷污等；
试验通过判断依据：芯片试验完成后FT常、高、低温测试pass；
试验条件：
For devices containing NVM, endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.
Grade 0: +150oC Ta for 1000 hours.
Grade 1: +125oC Ta for 1000 hours.
Grade 2: +105oC Ta for 1000 hours.
Grade 3: +85oC Ta for 1000 hours.
Vcc (max) at which dc and ac parametrics are guaranteed. Thermal shut-down shall not occur during this test.
TEST before and after HTOL at room, cold and hot temperature (in that order).
需求确认：需客户提供客户提供HTOL参考原理图或者设计需求、芯片POD、具体试验条件、试验样品数量、硬件需求数量、 HTOL条件下单颗芯片预计功耗等。
Early Life Failure Rate(ELFR)
参考标准： AEC Q100-008；
目的：评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的产品；
失效机制：材料或工艺的缺陷，包括诸如氧化层缺陷，金属刻镀，离子玷污等由于生产造成的失效；
试验通过判断依据：芯片试验完成后FT常、高温测试pass；
试验条件：
Grade 0: 48 hours at 150oC or 24 hours at 175oC
Grade 1: 48 hours at 125oC or 24 hours at 150oC
Grade 2: 48 hours at 105oC or 24 hours at 125oC
Grade 3: 48 hours at 85oC or 24 hours at 105oC
TEST before and after ELFR at room and hot temperature.