AEC-Q100标准解读之HBM,CDM及LU

发布时间:2022-07-29 10:26:51
AEC-Q100标准解读之Electrostatic Discharge Human Body Model (HBM)、Electrostatic Discharge Charged Device Model(CDM)、Latch-Up(LU)

Electrostatic Discharge Human Body Model (HBM)
参考标准: AEC Q100-002;
目的:验证器件对人体静电的抵抗能力;
试验通过判断依据:测试前后电流-电压曲线在参考电流下电压的改变量不超过30%以及包络线失效范围不超过±10%,芯片验证完成后FT常、高温测试pass;
实验室能力范围:能满足大部分类型芯片的HBM需求,有MK2平台,可提供768个通道;
试验条件:
HBM执行电压至少包含500V/1000V/2000V;
样品数量至少为重复3颗(可以依据电压拆分为9颗或者依据放电组合更多拆分为3n颗);
试验前后在室温和高温分别进行电测。
器件级别<2000V HBM的情况需要使用者特别承认(允许标记最大Passed Level出具Q100报告)
需求确认:需提供芯片data sheet。

Electrostatic Discharge Charged Device Model(CDM)
参考标准: AEC Q100-011;
目的:验证器件充放电的抗绕度;
试验通过判断依据:测试前后电流-电压曲线在参考电流下电压的改变量不超过30%以及包络线失效范围不超过±10%,芯片验证完成后FT常、高温测试pass;
实验室能力范围:能满足大部分类型芯片的CDM需求;
试验条件:
CDM执行电压至少包含250V/500V/750V(750V仅针对Corner pins);
 样品数量至少为重复3颗(可以依据电压拆分为9颗或者依据放电组合更多拆分为3n颗);
试验前后在室温和高温分别进行电测。
器件级别<750V边角引脚或(和)<500V其他引脚的CDM情况需要使用者特别承认(允许标记最大Passed Level出具Q100报告)
需求确认:需提供芯片data sheet。

Latch-Up(LU)
参考标准: AEC Q100-004;
目的:验证器件可靠性的一个潜在的严重问题,客观、准确地评价器件的抗闩锁效应能力,保证器件的质量;
试验通过判断依据:测试前后IC工作电流改变量不超过10毫安或者1.4倍(二者相比取大) ,芯片验证完成后FT常、高温测试pass;
实验室能力范围:能满足大部分类型芯片的LU需求,目前有MK2平台,可提供768个通道;
试验条件:
测试依据JEDE78 Waveform,Vcc=Vccmax;
温度参考:
Grade 0: +150°C
Grade 1: +125°C
Grade 2: +105°C
Grade 3: +85°C
试验前后在室温和高温分别进行电测。
需求确认:需要提供芯片data sheet。
友情链接:
CNAS官网 | 新浪博客